RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
32
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
2987
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link