RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,135.0
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2808
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link