RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3536
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link