RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
3420
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link