RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
39
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
4250
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R934G2401U1S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link