RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Porównaj
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
3047
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link