RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2361
2336
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link