RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
52
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2783
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link