RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2199
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link