RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
48
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
48
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2196
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link