RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
52
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
52
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2306
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link