RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
95
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
95
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
1518
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link