RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
75
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
75
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
1548
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link