RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
3510
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link