RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
79
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
79
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
1710
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link