RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
37
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2904
2808
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link