RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
3062
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link