RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3396
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link