RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
4124
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link