RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2919
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link