RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2680
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link