RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3819
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link