RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
3936
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link