RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
3141
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link