RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2483
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link