RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
47
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2308
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link