RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
79
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
4.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
79
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
7.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
4.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
1671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link