RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
33
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3385
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link