RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
62
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
35
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link