RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3294
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link