RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2561
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Mushkin 996902 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link