RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
62
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
36
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3256
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link