RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
5.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
2892
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link