RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
2516
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link