RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
65
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3395
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link