RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3889
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link