RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3158
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link