RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4072
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Corsair CMSX8GX3M1A1600C1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link