RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link