RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX426C13/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2610
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link