RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3347
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link