RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2078
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link