RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2515
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link