RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,892.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
6,181.5
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,892.9
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
851
3593
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link