RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Porównaj
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
44
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2222
3145
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link