RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Porównaj
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1901
3093
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link