RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1632
3564
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link