RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Porównaj
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
76
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
76
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2063
1260
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link