RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
75
Wokół strony -257% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2950
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link