RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
75
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3736
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link